طراحی تقویت کننده صدای کم پهنای باند فرا CMOS قدرت پایین با استفاده از تکنیک باطل کردن صدا
Design of low power CMOS ultra wide band low noise amplifier using noise canceling technique (2013)
طراحی تقویت کننده صدای کم پهنای باند فرا CMOS قدرت پایین با استفاده از تکنیک باطل کردن صدا
توضیحات: ۶ صفحه انگلیسی، ۹ صفحه فارسی (word)
چکیده فارسی
این مقاله طراحی طراحی تقویت کننده صدای کم پهنای باند اولترا CMOS قدرت پایین با استفاده از تکنیک باطل کردن صدا را مورد بررسی قرار می دهد که دارای فرایند RFCMOS 0.18 می باشد. UWB LNA فرض شده از ساختار جاری برای افزایش مصرف کلی قدرت به جای استفاده از کاسکاد استفاده می کند. این ساختار DC جاری را برای اجرای دو ترانزیستور به طور همزمان به کار می گیرد. تکنیک های یک در میان که برای به دست آوردن همواری در فرکانس های لازم گزارش شده اند.نقاط فرکانس بالا و پایینی در پهنای باند داخلی از ۳٫۱ تا ۱۰٫۶ گیگا هرتز دارند. نقاط رزونانس در ۳ گیگا هرتز و ۱۰ گیگا هرتزز تنظیم شده اند تا سطح کافی را ایجاد کنند و افت را کاهش دهند. به علاوه، لغو کردن سر و صدا برای لغو کردن سر و صدای غالب استفاده می شود که توسط ترانزیستور اول تولید می شود. نتایج شبیه سازی یک تقویت هموار را با ورودی خوب نشان داد که کمتر از -۱۰DB است و حداقل شکست سر و صدای ۲٫۹ DB در باند داخلی است. UWB LNA فرض شده ۱۵٫۲ مگا ولت از تامین برق ۱٫۸ ولتی مصرف می کند.
کلمات کلیدی: CMOS, UWB، تقویت کننده سر و صدای کم، کنسل کننده صدا، تکنیک جریان دوبار استفاده شده
دانلود متن کامل فارسی (قیمت ۷۰۰۰ تومان)
دیدگاهی بنویسید